存儲顆粒主要有這樣的一些品牌：美國的Micron（美光）、德國的Infineon（英飛凌）；韓國的SAMSUNG（三星）、HY（現代）；日本的NEC（日本電氣）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(東芝)；臺灣的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（鈺創）、Winbond（華邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先進）、Nanya（南亞）。

有的品牌現在已經沒有被采用了，只有在SDRAM時代采用過，有的品牌在DDR時代采用的也不多了。顯存種類主要分SD和DDR兩種，有時候，他們可以從編號上區分，DDR的可能會注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要從管角數量上來區分，以TSOP封裝來說，SDRAM的管腳數量是27x2＝54，DDR的管腳數量為33X2=66。

美光（Micron）

圖1 美光芯片顆粒

　　美光是美國第一大、全球第二大內存芯片廠商，目前顯卡廠商采用它顯示芯片較少，它主要供應內存OEM商，下面用上圖的實例對Micron（美光）顆粒編號的簡單含義作介紹：

　　MT——Micron的廠商名稱。
　　48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
　　LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
　　8M8——內存顆粒容量為8M。
　　A2——內存內核版本號。
　　TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
　　-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

　　顆粒編號MT 48LC8M8A2 TG-75，從編號上的48很容易知道這是SDRAM顆粒，采用TSOP封裝方式，速度為7.5ns，單顆粒為8M，位寬8bit。

億恒（In fineon）

圖2 Infineon（億恒）顆粒

　　Infineon是德國西門子的一個分公司，它主要生產內存顆粒。目前，Infineon在全球排名已經躍居為第四位，超過了韓國的Hynix。它的編號簡單，編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。它的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

　　用實例如上圖對它顆粒編號的簡單介紹：

　　HYB－內存編號開頭
　　25－25是時間（周）
　　D－D代表DDR顆粒，S代表SDR顆粒
　　128－128代表單顆容量為128/8=16M
　　32－32表示位寬32bit
　　3.3－3.3代表顆粒速度

　　這顆編號為HYB25D128323C-3.3，編號中正數第10、11位，也就是“32”代表了該顆粒的數據輸出位寬。32也就是單顆32位。順便說一下，這是DDR SGRAM顯存顆粒。

韓國三星（Samsung）

　　目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產品線龐大，所以三星內存顆粒的命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號采用一個15位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。

　　下面簡單對三星的顆粒編號作一個介紹：

　　編碼規則：K 4 X X X X X X XX - X X X X

　　主要含義：
　　第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。
　　第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。
　　第4、5位——容量，容量相同的顆粒采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。
　　第6、7位——表示顆粒位寬，16代表16位；32代表32位；64代表64位。
　　第11位－－空格，沒有實際意義。
　　第12、13位――為速度標志。
　　第14、15位——芯片的速率數據。

圖3 三星顆粒（左邊為采用TSOP封裝DDR顆粒，右邊為采用TSOP封裝的SD顆粒）